美光披露G11闪存规格与量产计划

美光披露面向AI数据中心重新设计的G11 NAND闪存：同等硅面积容量约为现有G9的两倍，I/O速度最高提升1.5倍，每比特数据传输能耗降低25%以上，计划于2027年下半年量产，搭载该闪存的SSD将更晚上市。 G11采用超过400层堆叠及第二层键合晶圆，但这会推高成本；美光尚未公布每GB价格降幅，因此其成本变化和最终售价仍不明确。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。