美光 G11 NAND：同面积容量翻倍，2027 下半年量产

美光面向 AI 数据中心重新设计 G11 NAND，堆叠超过 400 层，同等硅面积容量约为现有 G9 的 2 倍。G11 I/O 速度最高提升 1.5 倍，每比特搬运数据能耗降低 25% 以上，计划于 2027 年下半年量产；更高堆叠与第二层键合晶圆会增加成本，美光尚未公布每 GB 降价幅度。