康奈尔做出带隙超7电子伏特硅掺杂AlGaO半导体

康奈尔大学工程团队用分子束外延（MBE）在蓝宝石衬底上生长出硅掺杂氧化铝镓（AlGaO）半导体，带隙超过 7 电子伏特，超过此前约 6 电子伏特的纪录；团队已制成可工作的器件，相关成果于 10 月 7 日发表于《自然》。 更高带隙意味着材料抗电场再击穿能力增强，电力电子器件可承受更高电压并降低能量损耗。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。