康奈尔大学开发带隙超 7 eV 的硅掺杂 AlGaO 半导体，刷新纪录

康奈尔大学工程师开发出硅掺杂氧化铝镓（AlGaO）半导体，经 MBE 在蓝宝石衬底上生长，带隙超过 7 eV，超越此前约 6 eV 的纪录。团队已制成可工作的器件，相关成果于 10 月 7 日发表于《自然》；更高带隙可增强抗电场再击穿能力，使电力电子器件承受更高电压并降低能量损耗。