三星拟在泰勒建设HBM裸片代工厂
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三星拟在泰勒建设HBM裸片代工厂
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AI 综述
三星电子计划于2026年11月在美国得州泰勒市动工建设第二座晶圆代工厂,规划采用2纳米制程生产HBM所需基础裸片,产线预计2029年2月搬入设备、2030年量产。报道援引消息称,该厂规划产能已全部预订,其中多数订单来自AMD,英伟达也有产能安排;三星官方则表示无法确认与客户相关的具体细节。
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最新进展11月6日 14:23
三星拟建泰勒二厂,为AMD和英伟达安排HBM基础裸片产能报道时间线
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11月6日
- 36氪三星拟建泰勒二厂,为AMD和英伟达安排HBM基础裸片产能
消息称,三星电子计划于2026年11月在美国得州泰勒市动工建设第二座晶圆代工厂,规划产能已全部预订,其中多数订单来自AMD,英伟达也有产能安排。该厂占地约25万平方米,规模约为泰勒一厂的1.5倍,将采用2纳米制程,生产HBM所需的基础裸片,产线预计2029年2月搬入设备,2030年正式量产。
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