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三星据称将采用台积电 3nm 为英伟达定制 NVHBM 芯片代工 base die
曝三星将用台积电 3nm 为英伟达 NVHBM 定制芯片代工基芯
AI 导读
据爆料，三星将采用台积电 3nm 工艺，为英伟达下一代定制 NVHBM 芯片生产 base die。三星同时在评估由自家晶圆厂代工这一项目的可行性。
来源：AGI Hunt · agihunt.info
三星据称将采用台积电 3nm 为英伟达定制 NVHBM 芯片代工 base die