Groq下一代芯片或转向3D堆叠DRAM
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Groq下一代芯片或转向3D堆叠DRAM
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AI 综述
据未经证实的爆料，Groq正考虑在下一代芯片中采用3D堆叠DRAM，并可能放弃标志性的SRAM路线；目前没有官方结论，相关消息仍属传闻。 爆料称，Groq选择转向的原因是，其现有SRAM容量约每两年仅提升10%至20%，难以满足持续增长的推理算力需求。若最终采用3D堆叠DRAM，Groq的芯片路线及与NVIDIA、美光、AMD等公司的竞争关系可能受到影响。
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最新进展10月30日 03:40
传闻：Groq 下一代芯片或转向 3D 堆叠 DRAM，放弃 SRAM 路线报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月30日
- AGI Hunt传闻：Groq 下一代芯片或转向 3D 堆叠 DRAM，放弃 SRAM 路线
Groq 据爆料正考虑在下一代芯片架构中采用 3D 堆叠 DRAM，可能放弃其标志性的 SRAM 路线，原因是 SRAM 容量每两年仅提升 10-20%，难以支撑推理算力需求。该动向涉及 NVDA、MU、AMD 等芯片公司格局，目前尚属未经证实的传闻。
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