英伟达要求台积电规划3D DRAM
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英伟达要求台积电规划3D DRAM
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AI 综述
据 The Information 报道，英伟达已要求台积电规划 3D DRAM，希望借此增强自身在存储采购中的议价能力。报道判断，该项目不会增加 2027 年内存供给，主要影响可能到 2028 年才显现；届时英伟达或可借替代性布局削弱存储厂商的定价权。 当前存储厂商供应仍偏紧：三星称 2027 年 HBM 已售罄，SK 海力士称 2027—2028 年产能已签约过半，因此英伟达此次规划短期难以直接缓解供给压力。
AI 根据报道生成 · 35 分钟前更新
最新进展11月6日 23:19
英伟达要求台积电规划 3D DRAM，应对 AI 内存短缺报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月6日
- AGI Hunt英伟达要求台积电规划 3D DRAM，应对 AI 内存短缺
英伟达请求台积电规划并生产下一代 3D DRAM，以应对全球 AI 内存短缺。报道称，此举意在争取 2028 年前后的存储议价权，但三星的 2027 年 HBM 产能已被预订，3D DRAM 短期内也难以带来新增内存供给。
- AGI Hunt曝英伟达要求台积电规划 3D DRAM，瞄准 2028 存储议价权
英伟达据报要求台积电规划 3D DRAM，此举不会增加 2027 年内存供给，主要影响是提升其在 2028 年存储采购谈判中的压价杠杆。三星称 2027 年 HBM 已售罄，SK 海力士 2027-28 年产能已签约过半；存储厂商自 2029 年起的定价权可能被削弱。
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